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IRGSL10B60KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGSL10B60KD |
| 参数属性 | IRGSL10B60KD 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT NPT 600V 22A TO262 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
324.07 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | IRGSL10B60KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGSL10B60KD规格书详情
特性 Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号：
IRGSL10B60KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，10A
- 开关能量：
140µJ（开），250µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/230ns
- 测试条件：
400V，10A，47 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：
TO-262
- 描述：
IGBT NPT 600V 22A TO262
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
2900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
01+03+ |
TO-262 |
226 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
TO-262 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR |
24+ |
TO-262 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
IR |
05+ |
原厂原装 |
30501 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IR |
23+24 |
TO-262 |
59630 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
5100 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
询价 |
