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IRGSL10B60KD	文件：324.07 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL10B60KDPBF	文件：365.94 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10μsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL10B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 22A TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MBR10B60CTH	文件：131.95 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-10Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
MBR10B60FCTH	文件：131.95 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-10Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
SBL10B60CTH	文件：131.31 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-10Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
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TCF10B60	文件：184.91 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
TCU10B60	文件：46.79 Kbytes Page：5 Pages	FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
TSU10B60	文件：105.78 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NI National Instruments Inc.	NI

详细参数

型号：
IRGSL10B60KD
制造商：
International Rectifier
功能描述：
IGBT D2PAK PACKAGE NPT 600V 10A CO-PA

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更多IRGSL10B60KD供应商更新时间2025-7-16 19:05:00

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