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IRGSL10B60KD中文资料600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-262 package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRGSL10B60KD

参数属性

IRGSL10B60KD 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 600V 22A TO262

功能描述

600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-262 package
IGBT NPT 600V 22A TO262

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-12-14 11:06:00

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IRGSL10B60KD规格书详情

应用 Application

·Dryer
·Fan
·Pump
·Solar
·Washing Machine

简介

IRGSL10B60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IRGSL10B60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGSL10B60KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :I2PAK (TO-262)

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :12.0A

  • IC(@25°) max

    :22.0A

  • ICpuls max

    :44.0A

  • Ptot max

    :104.0W

  • VCE(sat) 

    :1.8V 

  • Eon 

    :0.14mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.25mJ 

  • td(on) 

    :30.0ns 

  • tr 

    :20.0ns 

  • td(off) 

    :230.0ns 

  • tf 

    :23.0ns 

  • QGate 

    :38.0nC 

  • IF max

    :44.0A

  • VF 

    :1.3V 

  • Irrm 

    :14.0A 

  • Ets  (max)

    :0.39mJ (0.67mJ)

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • VCE max

    :600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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