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IRGS4B60K数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRGS4B60K

参数属性

IRGS4B60K 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V D2PAK-3

功能描述

600V Low VCEon Copack IGBT in a D2Pak package
IGBT 600V D2PAK-3

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IRGS4B60K规格书详情

应用 Application

·Washing Machine

简介

IRGS4B60K属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGS4B60K晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGS4B60K

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :D2PAK (TO-263)

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :6.8A

  • IC(@25°) max

    :12.0A

  • ICpuls max

    :22.0A

  • Ptot max

    :63.0W

  • VCE(sat) 

    :2.1V 

  • Eon 

    :0.073mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.047mJ 

  • td(on) 

    :22.0ns 

  • tr 

    :18.0ns 

  • td(off) 

    :100.0ns 

  • tf 

    :66.0ns 

  • QGate 

    :18.2nC 

  • Ets  (max)

    :0.12mJ (0.13mJ)

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Switching Frequency 

    :Gen 5 8-30 kHz

  • VCE max

    :600.0V

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