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IRGPS66160D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRGPS66160D

参数属性

IRGPS66160D 封装/外壳为TO-274AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 160A TO247

功能描述

600V UltraFast Co-Pack IGBT in a Super 247 (TO274AA) package
IGBT 600V 160A TO247

封装外壳

TO-274AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 19:45:00

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IRGPS66160D规格书详情

简介

IRGPS66160D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGPS66160D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

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  • 制造商编号

    :IRGPS66160D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 6.2

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :Super-247 (TO-274)

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :160.0A

  • IC(@25°) max

    :240.0A

  • ICpuls max

    :360.0A

  • Ptot max

    :750.0W

  • VCE(sat) 

    :1.65V 

  • Eon 

    :4.47mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :3.43mJ 

  • td(on) 

    :80.0ns 

  • tr 

    :75.0ns 

  • td(off) 

    :190.0ns 

  • tf 

    :40.0ns 

  • QGate 

    :220.0nC 

  • IF max

    :480.0A

  • VF 

    :1.8V 

  • Irrm 

    :34.0A 

  • Ets 

    :9.75mJ 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • VCE max

    :600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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