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IRGPS60B120KD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRGPS60B120KD |
| 参数属性 | IRGPS60B120KD 封装/外壳为TO-274AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 105A 595W SUPER247 |
| 功能描述 | 1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT，采用 TO-274AA 封装 |
| 封装外壳 | TO-274AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | IRGPS60B120KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGPS60B120KD规格书详情
应用 Application
• 风扇
• 泵
• 太阳能
• 不间断电源（UPS）
• 焊接
简介
IRGPS60B120KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGPS60B120KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRGPS60B120KD
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 5
- Switching Frequency min max
：8.0kHz 30.0kHz
- Package
：Super-247 (TO-274)
- Voltage Class max
：1200.0V
- IC(@100°) max
：60.0A
- IC(@25°) max
：105.0A
- ICpuls max
：240.0A
- Ptot max
：595.0W
- VCE(sat)
：2.5V
- Eon
：3.214mJ
- Eoff(Hard Switching)
：4.783mJ
- td(on)
：72.0ns
- tr
：32.0ns
- td(off)
：366.0ns
- tf
：45.0ns
- QGate
：340.0nC
- IF max
：240.0A
- VF
：1.93V
- Irrm
：50.0A
- Ets (max)
：8.0mJ (10.32mJ)
- VCE max
：1200.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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