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IRGPS60B120KD	文件：135.94 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：135.94 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS60B120KDP	文件：136.16 Kbytes Page：12 Pages	丝印：GPS60B120KD；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency fo 文件：136.16 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS60B120KDP	文件：141.51 Kbytes Page：12 Pages	丝印：GPS60B120KD；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：141.51 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS60B120KDP_15	文件：141.51 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：141.51 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS60B120KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V 超快 5-40 kHz Copack IGBT，采用 TO-274AA 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGPS60B120KDP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-274AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 105A 595W SUPER247	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
Super-247 (TO-274)
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
60.0A
IC(@25°) max：
105.0A
ICpuls max：
240.0A
Ptot max：
595.0W
VCE(sat) ：
2.5V
Eon ：
3.214mJ
Eoff(Hard Switching) ：
4.783mJ
td(on) ：
72.0ns
tr ：
32.0ns
td(off) ：
366.0ns
tf ：
45.0ns
QGate ：
340.0nC
IF max：
240.0A
VF ：
1.93V
Irrm ：
50.0A
Ets (max)：
8.0mJ (10.32mJ)
VCE max：
1200.0V

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更多IRGPS60B120KD供应商更新时间2025-10-4 16:03:00

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