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IRGPS60B120KDP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Super-247Package. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfo

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IRGPS60B120KDP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGPS60B120KDP

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-274AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 105A 595W SUPER247

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

IRGPS60B120KDP_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGPS60B120KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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产品属性

  • 产品编号:

    IRGPS60B120KDP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    3.21mJ(开),4.78mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,15A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-274AA

  • 供应商器件封装:

    SUPER-247™(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 1200V 105A 595W SUPER247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRGPS60B120KDP供应商 更新时间2024-4-28 14:52:00