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IRGPS60B120KDP	文件：136.16 Kbytes Page：12 Pages	丝印：GPS60B120KD；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency fo 文件：136.16 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS60B120KDP	文件：141.51 Kbytes Page：12 Pages	丝印：GPS60B120KD；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：141.51 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
GPS60B120KD
功能描述：
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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