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GPS60B120KD	文件：136.16 Kbytes Page：12 Pages	型号：IRGPS60B120KDP；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Super-247Package. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfo	IRF International Rectifier
GPS60B120KD	文件：141.51 Kbytes Page：12 Pages	型号：IRGPS60B120KDP；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier

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型号：IRGPS60B120KDP；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Super-247Package. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfo

IRF

International Rectifier

GPS60B120KD

文件：141.51 Kbytes

Page：12 Pages

型号：IRGPS60B120KDP；Package：TO-274AA；INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

详细参数

型号：
GPS60B120KD
功能描述：
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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