| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO263 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO263 |
26982 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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BGA |
360 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONN/A |
10000 |
23+ |
原装优质现货订货渠道商 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
90000 |
2020+ |
全系列供应大部分现货可接受订货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
5237 |
18+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
5237 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
20000 |
21+ |
进口原装正品现货热卖 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5240 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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INFINEONTO263 |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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120000 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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INFINEON22+ |
6000 |
23+ |
TO263 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
5237 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
10000 |
22+ |
原装正品 假一罚十 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
5237 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9865 |
23+/24+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
IRGS4B60KD1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRGS4B60KD1图片
IRGS4B60KD1PBF价格
IRGS4B60KD1PBF价格：￥8.4803品牌：IR
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IRGS4B60KD1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRGS4B60KD1制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
IRGS4B60KD1PBF功能描述:IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS4B60KD1TRLP功能描述:IGBT 晶体管 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS4B60KD1TRRP功能描述:IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
