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IRGS4055PBF中文资料PDP TRENCH 1GBT数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRGS4055PBF |
| 参数属性 | IRGS4055PBF 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 300V 110A 255W D2PAK |
| 功能描述 | PDP TRENCH 1GBT |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 14:31:00 |
| 人工找货 | IRGS4055PBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGS4055PBF规格书详情
简介
IRGS4055PBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGS4055PBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRGS4055PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，110A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
44ns/245ns
- 测试条件：
180V，35A，10 欧姆
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 300V 110A 255W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
92 |
询价 | |||
IR |
24+ |
D2PAK |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
11+ |
D2PAK |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
2223+ |
D2PAK |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D2PAK |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 |
