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IRGS4055PBF

PDP TRENCH 1GBT

Features AdvancedTrenchIGBTTechnology OptimizedforSustainandEnergyRecoverycircuitsinPDPapplications LowVCE(on)andEnergyperPulse(EPULSE™)forimprovedpanelefficiency Highrepetitivepeakcurrentcapability LeadFreepackage

IRF

International Rectifier

IRGS4055PBF

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 300V 110A 255W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

LP4055

800mALinearLi-IonBatteryChargerwithProtectionofReverseConnectionofBattery

POWERLowpower Semiconductor inc

微源半导体微源半导体股份有限公司

LP4055QVF

800mALinearLi-IonBatteryChargerwithProtectionofReverseConnectionofBattery

POWERLowpower Semiconductor inc

微源半导体微源半导体股份有限公司

LTC4055

36V,LowLossDualPowerPathControllersforLargePFETs

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LTC4055

USBPowerManagerwithIdealDiodeControllerandLi-IonCharger

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LTC4055

PushButtonOn/OffController

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LTC4055

USBPowerControllerandLi-IonLinearCharger

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LTC4055EUF

USBPowerControllerandLi-IonLinearCharger

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

ME4055C

MicrOneNajing Micro One Electronics Inc.

南京微盟南京微盟电子有限公司

PDF上传者:深圳市溢航科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IRGS4055PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,110A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    44ns/245ns

  • 测试条件:

    180V,35A,10 欧姆

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 300V 110A 255W D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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更多IRGS4055PBF供应商 更新时间2025-7-14 14:30:00