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IRL2203NLPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, 文件：231.35 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL2203NLPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, 文件：295.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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IRL2203NS	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A?? Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, 文件：132.36 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRL2203NLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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