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IRL2505PBF	文件：228.73 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：228.73 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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NTE2505	文件：22.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Low Frequency, General Purpose Amp Features: ● High Current Capacity ● High DC Current Gain ● Low Collector Emitter Saturation Voltage ● High Emitter Base Breakdown Voltage Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . 文件：22.33 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
PS2505	文件：115.23 Kbytes Page：12 Pages	HIGH ISOLATION VOLTAGE AC INPUT RESPONSE TYPE MULTI PHOTOCOUPLER SERIES SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：115.23 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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详细参数

型号：
IRL2505PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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