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IRGS6B60KPBF	文件：295.97 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Excellent Current Sharing 文件：295.97 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGS6B60KPBF	文件：296.93 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：296.93 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGS6B60KPBF_15	文件：296.93 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：296.93 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60K	文件：245.45 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Excellent Current 文件：245.45 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60KD	文件：307.2 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 is available in PbF as a Lead-Free Benefits • Benchmark Eff 文件：307.2 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60KD	文件：307.26 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：307.26 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRGS6B60KPBF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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