IRGSL6B60K规格书应用电路贸易商英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IRGSL6B60K>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRGSL6B60K	文件：245.45 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Excellent Current 文件：245.45 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60KD	文件：307.26 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：307.26 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60KD	文件：307.2 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 is available in PbF as a Lead-Free Benefits • Benchmark Eff 文件：307.2 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60KDPBF	文件：316.13 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：316.13 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60KPBF	文件：295.97 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Excellent Current Sharing 文件：295.97 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGSL6B60KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-262 package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGSL6B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 13A TO262	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGSL6B60KPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 13A 90W TO262	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
I2PAK (TO-262)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
7.0A
IC(@25°) max：
13.0A
ICpuls max：
26.0A
Ptot max：
90.0W
VCE(sat) ：
1.8V
Eon ：
0.11mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.135mJ
td(on) ：
25.0ns
tr ：
17.0ns
td(off) ：
215.0ns
tf ：
13.2ns
QGate ：
18.2nC
IF max：
26.0A
VF ：
1.25V
Irrm ：
10.0A
Ets (max)：
0.245mJ (0.455mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRGSL6B60K	IR	20+	TO-262	20500	汽车电子原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRGSL6B60K	IR	23+	TO-262	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRGSL6B60K	IR	23+	TO-262	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRGSL6B60K	IR	21+	TO-262	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRGSL6B60K	IR	22+	TO-262	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRGSL6B60K	IR	24+	NA/	5690	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRGSL6B60K	IR	23+	TO-262	7000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRGSL6B60KD	IR	2015+	TO-262	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRGSL6B60KD	IR	24+	TO-262	8866		询价
深圳市达恩科技有限公司	IRGSL6B60KDPBF	Infineon	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价

更多IRGSL6B60K供应商更新时间2025-12-1 19:22:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号