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IRGSL6B60K	文件：245.45 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •LowEMI. •ExcellentCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL6B60KD	文件：307.2 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •TO-220isavailableinPbFasaLead-Free Benefits •BenchmarkEff	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL6B60KD	文件：307.26 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10μsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL6B60KDPBF	文件：316.13 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10μsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL6B60KPBF	文件：295.97 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •LowEMI. •ExcellentCurrentSharing	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL6B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 13A TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGSL6B60KPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 13A 90W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IRGSL6B60K
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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