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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •LowEMI. •ExcellentCurrentSharing | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
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详细参数
- 型号:
IRGS8B60KTRLPBF
- 功能描述:
IGBT 模块 600V 9AD2PAK
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 产品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流:
230 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作温度:
+ 125 C
- 封装/箱体:
34MM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
22+ |
TO-263 |
16000 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
8650 |
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IR |
22+23+ |
TO-263 |
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23+ |
N/A |
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正品授权货源可靠 |
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INFINEON |
2019 |
D2PAK |
55000 |
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IR |
23+ |
D2PAK |
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IR |
23+ |
TO-263 |
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Infineon |
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