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IRGS30B60KPBF	文件：385.77 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology •10µsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl •RuggedTransientPerformance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AOK30B60D	文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages	TO247PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK30B60DL	文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages	TO247PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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IRGP30B60KD-E	文件：603.76 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •TO-247ADPackage Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP30B60KD-EP	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •TO-247ADPackage •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGS30B60	文件：328.22 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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MBR30B60CTH	文件：133.17 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT

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详细参数

型号：
IRGS30B60KPBF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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