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IRGS30B60KPBF	文件：385.77 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology • 10µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Positive VCE (on) Temperature Coefficient • Maximum Junction Temperature rated at 175°C • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control • Rugged Transient Performance 文件：385.77 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRGS30B60KPBF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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