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IRGS4610DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRGS4610DPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件:408.73 Kbytes 页数:15 Pages

IRF

IRGS4610DPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:411.42 Kbytes 页数:16 Pages

IRF

IRGS4610DPBF

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 16A 77W D2PAK

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGS4610DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,6A

  • 开关能量:

    56µJ(开),122µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    27ns/75ns

  • 测试条件:

    400V,6A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 77W D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
24+
NA
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进口原装正品优势供应
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N/A
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原装
8000
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Infineon Technologies
23+
原装
7000
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更多IRGS4610DPBF供应商 更新时间2025-11-19 14:17:00