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IRGP4068D-EPBF	文件：326.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS VCES = 600V IC = 48A, TC = 100°C tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C VCE(on) typ. = 1.65V Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM 文件：326.54 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGP4068D-EPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4068D-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRGP4068DPBF	文件：326.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS VCES = 600V IC = 48A, TC = 100°C tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C VCE(on) typ. = 1.65V Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM 文件：326.54 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGP4068DPBF	文件：255.28 Kbytes Page：10 Pages	Low Switching Losses 文件：255.28 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
LP4068	文件：451.67 Kbytes Page：8 Pages	800mA Single Chip Li-Ion and Li-Polymer Charger 文件：451.67 Kbytes 页数：8 Pages	POWER 微源半导体	POWER

产品属性

产品编号：
IRGP4068D-EPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.14V @ 15V，48A
开关能量：
1.28mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/145ns
测试条件：
400V，48A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD

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