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IRGP4069DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits •

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IRF

IRGP4069DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP4069DPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP4069DPBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH 600V 76A TO247AC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP4069DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    390µJ(开),632µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/105ns

  • 测试条件:

    400V,35A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT TRENCH 600V 76A TO247AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRGP4069DPBF供应商 更新时间2025-12-24 8:26:00