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IRGPS40B120UDP	文件：132.23 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Contr 文件：132.23 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UDP	文件：349.3 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION · Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics · Low Diode VF · Low EMI APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Inductivecooking · Softswitchingapplications 文件：349.3 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRGPS40B120UDP	文件：137.54 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：137.54 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UDP_15	文件：137.54 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：137.54 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UDP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-274AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 595W SUPER247	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IRGPS40B120UDP供应商更新时间2025-10-4 11:03:00