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IRGP4069PBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits •

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IRGP4069PBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGP4069PBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGP4069PBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 76A 268W TO247AC

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP4069PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    390µJ(开),632µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/105ns

  • 测试条件:

    400V,35A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 76A 268W TO247AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
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Infineon
1931+
N/A
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INFINEON
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TO247-3
50000
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TO247-3
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Infineon Technologies
2022+
TO-247AC
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更多IRGP4069PBF供应商 更新时间2026-4-24 9:50:00