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IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • H

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IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PD1-EP_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PD1-EP

Package:TO-3P-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT NPT 600V 75A TO247AD

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP50B60PD1-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.85V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    255µJ(开),375µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/130ns

  • 测试条件:

    390V,33A,3.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 75A TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
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更多IRGP50B60PD1-EP供应商 更新时间2025-12-1 10:20:00