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IRGP30B60KD-EP | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-247AD Package • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for 文件：276.23 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：276.23 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：276.23 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | ||
IRGP30B60KD-EP | Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 60A 304W TO247AD | Infineon 英飞凌 | Infineon |
产品属性
- 产品编号：
IRGP30B60KD-EP
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，30A
- 开关能量：
350µJ（开），825µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/185ns
- 测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 60A 304W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
15+ |
原厂原装 |
4580 |
进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247-3 |
100 |
询价 | |||
DISCRETE |
25 |
IR |
4580 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-247 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
Infineon |
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NA |
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