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IRGP4063DPBF	文件：779.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for 4X rated current (ILM) • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery C 文件：779.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGP4063DPBF	文件：346.06 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：346.06 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4063DPBF_15	文件：346.06 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：346.06 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4063DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

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