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IRGP30B60KD-EP分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IRGP30B60KD-EP

参数属性

IRGP30B60KD-EP 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 304W TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-247-3

文件大小

276.23 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 11:26:00

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IRGP30B60KD-EP规格书详情

特性 Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• TO-247AD Package

• Lead-Free

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP30B60KD-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    350µJ(开),825µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/185ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 304W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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