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IRGP30B120KD-E分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGP30B120KD-E
厂商型号

IRGP30B120KD-E

参数属性

IRGP30B120KD-E 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-247-3

文件大小

132.39 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
IRF
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:22:00

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IRGP30B120KD-E规格书详情

VCES = 1200V

VCE(on) typ. = 2.28V

VGE = 15V, IC = 25A, 25°C

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

特性 Features

• Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology

• Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C)

• 10 µs Short Circuit Capability

• Square RBSOA

• Ultrasoft Diode Recovery Characteristics

• Positive VCE(on) Temperature Coefficient

• Extended Lead TO-247AD Package

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control Applications

• Rugged Transient Performance

• Low EMI

• Significantly Less Snubber Required

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation

• Longer leads for Easier Mounting

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP30B120KD-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.07mJ(开),1.49mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,25A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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