IRGP30B120KD-E分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IRGP30B120KD-E
参数属性	IRGP30B120KD-E 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
封装外壳	TO-247-3
文件大小	132.39 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	IRF
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更新时间	2025-12-24 10:09:00
人工找货	IRGP30B120KD-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

VCES = 1200V

VCE(on) typ. = 2.28V

VGE = 15V, IC = 25A, 25°C

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

特性 Features

• Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology

• Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C)

• 10 µs Short Circuit Capability

• Square RBSOA

• Ultrasoft Diode Recovery Characteristics

• Positive VCE(on) Temperature Coefficient

• Extended Lead TO-247AD Package

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control Applications

• Rugged Transient Performance

• Low EMI

• Significantly Less Snubber Required

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation

• Longer leads for Easier Mounting

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