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IRGP30B120KD-E	文件：132.39 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10µsShortCircuitCapability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EP	文件：174.28 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10μsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •ExtendedLeadTO-247ADPackage •Lead-Free Bene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EPBF	文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EPBF_15	文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP30B120KD-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
MBR30B120CTH	文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)
MBR30B120FCTH	文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

详细参数

型号：
IRGP30B120KD-E
制造商：
International Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	IRGP30B120KD-E	IR	2019+全新原装正品	TO247	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRGP30B120KD-E	IR	1832+	TO247	5000	公司原装现货,可来看货!	询价
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深圳市特顺芯科技有限公司	IRGP30B120KD-E	IR	07+/08+	TO-247-3	1779		询价
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深圳市勤思达科技有限公司	IRGP30B120KD-E	IR	2015+	TO-247AC	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRGP30B120KD-E	IR	16+	原厂封装	2293	原装现货假一罚十	询价
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更多IRGP30B120KD-E供应商更新时间2024-4-28 16:36:00

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