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IRGP30B120KD-E	文件：132.39 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10µsShortCircuitCapability	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B120KD-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package; • 低 VCE(on) 非穿通型(NPT) 技术\n• 低二极管 VF（1.76V 典型 @ 25A & 25°C）\n• 10 μS 短路能力\n• 方形 RBSOA\n• 超软二极管恢复特性\n• 正 VCE(on) 温度系数\n• 无铅\n\n优势:\n• 电机控制应用基准效率\n• 强健的瞬态性能\n• 低 EMI\n• 对缓冲的需求显著降低\n• 并联工作时电流共享表现出色\n• 引脚更长，安装更方便\n; 1200V IGBT 与超快 5-40 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AD 封装中。\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGP30B120KD-EP	文件：174.28 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10μsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •ExtendedLeadTO-247ADPackage •Lead-Free Bene	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B120KD-EPBF	文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B120KD-EPBF_15	文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGP30B120KD-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
30.0A
IC(@25°) max：
60.0A
ICpuls max：
120.0A
Ptot max：
300.0W
VCE(sat) ：
2.46V
Eon ：
1.066mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.493mJ
td(on) ：
50.0ns
tr ：
25.0ns
td(off) ：
210.0ns
tf ：
60.0ns
QGate ：
169.0nC
IF max：
120.0A
VF ：
1.86V
Irrm ：
34.0A
Ets (max)：
2.559mJ (3.05mJ)
VCE max：
1200.0V

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更多IRGP30B120KD-E供应商更新时间2025-7-30 9:24:00

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