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IRGP30B120KD-E数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRGP30B120KD-E

参数属性

IRGP30B120KD-E 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

功能描述

1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:25:00

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IRGP30B120KD-E规格书详情

描述 Description

1200V IGBT 与超快 5-40 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AD 封装中。

特性 Features

• 低 VCE(on) 非穿通型(NPT) 技术
• 低二极管 VF(1.76V 典型 @ 25A & 25°C)
• 10 μS 短路能力
• 方形 RBSOA
• 超软二极管恢复特性
• 正 VCE(on) 温度系数
• 无铅

优势:
• 电机控制应用基准效率
• 强健的瞬态性能
• 低 EMI
• 对缓冲的需求显著降低
• 并联工作时电流共享表现出色
• 引脚更长,安装更方便

应用 Application

• 风扇
• 驱动器和泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)
• 焊接

简介

IRGP30B120KD-E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP30B120KD-E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGP30B120KD-E

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :30.0A

  • IC(@25°) max

    :60.0A

  • ICpuls max

    :120.0A

  • Ptot max

    :300.0W

  • VCE(sat) 

    :2.46V 

  • Eon 

    :1.066mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :1.493mJ 

  • td(on) 

    :50.0ns 

  • tr 

    :25.0ns 

  • td(off) 

    :210.0ns 

  • tf 

    :60.0ns 

  • QGate 

    :169.0nC 

  • IF max

    :120.0A

  • VF 

    :1.86V 

  • Irrm 

    :34.0A 

  • Ets  (max)

    :2.559mJ (3.05mJ)

  • VCE max

    :1200.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
TO247
1709
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Infineon
2022+
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INFINEON/英飞凌
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24+
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INFINEON/IR
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50000
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