IRGP30B120KD-EP_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

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厂家型号：
IRGP30B120KD-EP
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-3 14:01:00

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原厂料号：IRGP30B120KD-EP品牌：Infineon Technologies

资料说明：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

IRGP30B120KD-EP是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-247-3的IRGP30B120KD-EP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
irgp30b120kd-ep
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

产品属性

类型
描述
产品编号：
IRGP30B120KD-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，60A
开关能量：
1.07mJ（开），1.49mJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
600V，25A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

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IRGP30B120KD-EP

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