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IRGIB6B60KD中文资料600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRGIB6B60KD

参数属性

IRGIB6B60KD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 11A 38W TO220FP

功能描述

600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package
IGBT 600V 11A 38W TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 19:09:00

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IRGIB6B60KD规格书详情

描述 Description

600V 低 VCE(on) IGBT 与软恢复二极管联合封装到TO-220 FullPak 封装中。

特性 Features

• 低 VCE(on) 非穿通型 IGBT 技术
• 低二极管 VF
• 10µs 短路能力
• 方形 RBSOA
• 超软二极管反向恢复特性
• 正 VCE(on) 温度系数
• 无铅

优势:
• 电机控制基准效率
• 强健的瞬态性能
• 低 EMI
• 并联工作时电流共享表现出色

应用 Application

• 家用电器
• 风扇
• 照明氙气灯
• 冷藏
• 驱动器和泵
• 太阳能

简介

IRGIB6B60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGIB6B60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGIB6B60KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220-3 FP

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :7.0A

  • IC(@25°) max

    :11.0A

  • ICpuls max

    :22.0A

  • Ptot max

    :32.0W

  • VCE(sat) 

    :1.8V 

  • Eon 

    :0.11mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.135mJ 

  • td(on) 

    :25.0ns 

  • tr 

    :17.0ns 

  • td(off) 

    :215.0ns 

  • tf 

    :13.2ns 

  • QGate 

    :18.2nC 

  • IF max

    :18.0A

  • VF 

    :1.25V 

  • Qrr 

    :350.0nC 

  • Irrm 

    :10.0A 

  • Ets  (max)

    :0.245mJ (0.455mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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