IRGIB6B60KD资料使用说明书贸易商英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IRGIB6B60KD>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRGIB6B60KD	文件：282.83 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：282.83 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KD	文件：273.19 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：273.19 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KD116P	文件：282.83 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：282.83 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KDPBF	文件：254.29 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • R 文件：254.29 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KDPBF	文件：314.27 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：314.27 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KDPBF_15	文件：314.27 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：314.27 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package 600V 低 VCE(on) IGBT 与软恢复二极管联合封装到TO-220 FullPak 封装中。 • 低 VCE(on) 非穿通型 IGBT 技术\n• 低二极管 VF\n• 10µs 短路能力\n• 方形 RBSOA\n• 超软二极管反向恢复特性\n• 正 VCE(on) 温度系数\n• 无铅\n\n优势:\n• 电机控制基准效率\n• 强健的瞬态性能\n• 低 EMI\n• 并联工作时电流共享表现出色;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGIB6B60KD116P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGIB6B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-220-3 FP
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
7.0A
IC(@25°) max：
11.0A
ICpuls max：
22.0A
Ptot max：
32.0W
VCE(sat) ：
1.8V
Eon ：
0.11mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.135mJ
td(on) ：
25.0ns
tr ：
17.0ns
td(off) ：
215.0ns
tf ：
13.2ns
QGate ：
18.2nC
IF max：
18.0A
VF ：
1.25V
Qrr ：
350.0nC
Irrm ：
10.0A
Ets (max)：
0.245mJ (0.455mJ)
VCE max：
600.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	IRGIB6B60KD	IR	2015+	TO-220F	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRGIB6B60KD	IR	24+	TO-220FullPak	8866		询价
深圳市弘为电子有限公司	IRGIB6B60KD	IR	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRGIB6B60KD	NEC	23+	TO-252	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRGIB6B60KD	IR	22+	TO-220FullPak	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IRGIB6B60KD	IR/VISHAY	23+	TO-220F	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IRGIB6B60KD	IR	17+	TO-220	2000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRGIB6B60KD	IR	23+	TO-220F	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRGIB6B60KD	IR	23+	TO-220 FullPak	7000		询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IRGIB6B60KD	IR	22+	TO-220F	88836		询价

更多IRGIB6B60KD供应商更新时间2025-10-4 11:03:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号