IRGIB15B60KD1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

第 5 代超快 600 V、15 A IGBT，采用 TO-220 Full-Pak 封装，并配有针对低传导损耗进行优化的低 Vf 二极管。降低的功耗和软开关行为，可实现更好的热性能和电磁干扰行为，从而降低系统成本。降低成本同时实现优异性能。

特性 Features

• 低 VCEon 无穿通 IGBT 技术
• 低 VF 二极管
• 10 µs 短路能力
• 方形 RBSOA
• 超软二极管逆恢复特征
• VCEon 正温度系数

优势:
• 电机控制基准效率
• 可靠的瞬态性能
• 低 EMI
• 并联运行时出色的电流共享

简介

IRGIB15B60KD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGIB15B60KD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。