IRGBF20数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRGBF20 |
| 参数属性 | IRGBF20 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT FAST 900V 20A TO-220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IRGBF20规格书详情
简介
IRGBF20属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGBF20晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRGBF20F
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.3V @ 15V，5.3A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT FAST 900V 20A TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3264 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ir |
24+ |
N/A |
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IR |
23+ |
TO-220 |
9888 |
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INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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TO |
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Infineon Technologies |
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TO-220AB |
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IR |
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IR |
23+ |
TO |
8000 |
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IR |
23+ |
TO |
7000 |
询价 |
