IRGIB10B60KD1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

采用 TO-220 Full-Pak 封装的第五代超快 600 V, 10 A IGBT 与低 Vf 二极管联合封装，经过优化可实现较低的通态损耗。降低的功率损耗和软开关行为，有助于热性能的提升和 EMI 行为的改善，导致系统成本下降。可以更低的成本获得出色的性能。

特性 Features

• 低 VCE(on) 非穿通型 IGBT 技术
• 低二极管 VF
• 10 μS 短路能力
• 方形 RBSOA
• 超软二极管反向恢复特性
• 正 VCE(ON) 温度系数

优势:
• 电机控制基准效率
• 强健的瞬态性能
• 低 EMI
• 并联工作时电流共享表现出色

简介

IRGIB10B60KD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGIB10B60KD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。