IRGIB10B60KD1P 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

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厂家型号：
IRGIB10B60KD1P
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
6796
产品封装：
TO-220
生产批号：
2023+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-6 15:18:00

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原厂料号：IRGIB10B60KD1P品牌：INFINEON/英飞凌

原厂全新正品旗舰店优势现货

IRGIB10B60KD1P是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌/Infineon Technologies生产封装TO-220/TO-220-3 整包的IRGIB10B60KD1P晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IRGIB10B60KD1P
规格书：
下载下载2
企业简称：
IRF详情
厂商全称：
International Rectifier
内容页数：
13 页
文件大小：
453.78 kb
资料说明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

产品属性

类型
描述
产品编号：
IRGIB10B60KD1P
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
开关能量：
156µJ（开），165µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/180ns
测试条件：
400V，10A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220AB 整包
描述：
IGBT 600V 16A 44W TO220FP

供应商

企业：
深圳市亿联芯电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
吴经理
手机：
18138401919
询价：
电话：
18138401919
传真：
086-0755-23996005
地址：
深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

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