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IRGIB10B60KD1P	文件：452.82 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature Rated at 175°C • Lead-Free Benefits 文件：452.82 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGIB10B60KD1P	文件：453.78 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：453.78 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGIB10B60KD1PBF	文件：444.23 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature Rated at 175°C • Lead- 文件：444.23 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB10B60KD1P_15	文件：453.78 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：453.78 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGIB10B60KD1P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 44W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRGIB10B60KD1P
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
开关能量：
156µJ（开），165µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/180ns
测试条件：
400V，10A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220AB 整包
描述：
IGBT 600V 16A 44W TO220FP

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