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IRGIB10B60KD1P分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGIB10B60KD1P |
| 参数属性 | IRGIB10B60KD1P 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 16A 44W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
452.82 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-27 23:01:00 |
| 人工找货 | IRGIB10B60KD1P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGIB10B60KD1P规格书详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号：
IRGIB10B60KD1P
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
- 开关能量：
156µJ（开），165µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/180ns
- 测试条件：
400V，10A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 16A 44W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3946 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
32048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | |||
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
950 |
20年老字号,原装优势长期供货 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
IR |
1726+ |
TO-220 |
6528 |
只做进口原装正品现货,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
进口原装正品现货热卖 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TOTO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220FULLPAK |
7750 |
全新原装优势 |
询价 |
