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IRGIB10B60KD1中文资料PDF规格书

IRGIB10B60KD1
厂商型号

IRGIB10B60KD1

参数属性

IRGIB10B60KD1 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 16A 44W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

386.19 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 11:09:00

IRGIB10B60KD1规格书详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

产品属性

  • 产品编号:

    IRGIB10B60KD1P

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    156µJ(开),165µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/180ns

  • 测试条件:

    400V,10A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 44W TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
20+
TO220
5600
样品可出,原装现货
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19+
TO-220F
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全新原装,现货库存长期供应
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