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IRGIB10B60KD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGIB10B60KD1 |
| 参数属性 | IRGIB10B60KD1 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 16A 44W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
386.19 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-5 23:18:00 |
| 人工找货 | IRGIB10B60KD1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGIB10B60KD1规格书详情
特性 Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号：
IRGIB10B60KD1P
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，10A
- 开关能量：
156µJ（开），165µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/180ns
- 测试条件：
400V，10A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 16A 44W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
30000 |
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询价 | ||
IR |
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INFINEON/英飞凌 |
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100000 |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
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TO-220F |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
原装正品 |
询价 |
