首页>IRGBF30F>规格书详情

IRGBF30F中文资料IRF数据手册PDF规格书

PDF无图
厂商型号

IRGBF30F

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)

文件大小

253 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

IRF

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-12-23 16:16:00

人工找货

IRGBF30F价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IRGBF30F规格书详情

描述 Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

特性 Features

• Switching-loss rating includes all tail losses

• Optimized for medium operating frequency ( 1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

产品属性

  • 型号:

    IRGBF30F

  • 制造商:

    IRF

  • 制造商全称:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
INTERNATIONA
05+
原厂原装
7990
只做全新原装真实现货供应
询价
IR
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
Infineon Technologies
2022+
模具
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
IR
23+
TO-220
7000
询价
IR
24+
NA/
3264
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
IR
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
询价
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价