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IRGBF30F	文件：253 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A) Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of 文件：253 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRGBF30F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRGP20B60PDPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR TO-247	IR 国际整流器上传：深圳市朱博士电子科技有限公司	IR
IRGP20B60PDPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR TO-247	IR 国际整流器上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	IR
IRGP35B60PDPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR TO-247	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR

详细参数

型号：
IRGBF30F
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRGBF30F	INTERNATIONA	05+	原厂原装	7990	只做全新原装真实现货供应	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	IRGBF30F	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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