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IRGP30B120KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
MBR30B120CTH	文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt 文件：133.65 Kbytes 页数：3 Pages	SIRECT 矽莱克半导体	SIRECT
MBR30B120FCTH	文件：133.65 Kbytes Page：3 Pages	Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt 文件：133.65 Kbytes 页数：3 Pages	SIRECT 矽莱克半导体	SIRECT
IRGP30B120KD-E	文件：132.39 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 1200V VCE(on) typ. = 2.28V VGE = 15V, IC = 25A, 25°C INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 µs Short Circuit Capability 文件：132.39 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP30B120KD-EP	文件：174.28 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 μs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Ultrasoft Diode Recovery Characteristics • Positive VCE(on) Temperature Coefficient • Extended Lead TO-247AD Package • Lead-Free Bene 文件：174.28 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP30B120KD-EPBF	文件：297.03 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：297.03 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRGP30B120KDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，60A
开关能量：
1.07mJ（开），1.49mJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
600V，25A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO247AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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