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IRGP30B60KD	文件：303.2 Kbytes Page：2 Pages	NPT IGBT DESCRIPTION · Low Diode VF · 10μs Short Circuit Capability · Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics APPLICATIONS · Low EMI · Rugged Transient Performance · Benchmark Efficiency for Motor Control 文件：303.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRGP30B60KD-E	文件：603.76 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-247AD Package Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control 文件：603.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP30B60KD-EP	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-247AD Package • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for 文件：276.23 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP30B60KD-EPBF	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：276.23 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP30B60KD-EPBF_15	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：276.23 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP30B60KD-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快 5-40 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP30B60KD-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 304W TO247AD	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
30.0A
IC(@25°) max：
60.0A
ICpuls max：
120.0A
Ptot max：
304.0W
VCE(sat) ：
1.95V
Eon ：
0.635mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.15mJ
td(on) ：
46.0ns
tr ：
28.0ns
td(off) ：
185.0ns
tf ：
31.0ns
QGate ：
102.0nC
IF max：
120.0A
VF ：
1.3V
Irrm ：
43.0A
Ets (max)：
1.175mJ (1.575mJ)
VCE max：
600.0V

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