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IRGP50B60PD1

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameter

文件:468.1 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1

IGBT

DESCRIPTION · Lower VCE(SAT) · Tighter Distribution of Parameters · Higher Reliability APPLICATIONS · Telecom and Server SMPS · PFC and ZVS SMPS Circuits · Uninterruptable Power Supplies

文件:343.4 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRGP50B60PD1

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:476.9 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRGP50B60PD1

600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

600V Warp2 IGBT 与超快开关频率高达 150 kHz 的软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • NPT 技术,正温度系数\n• VCE(SAT)更低\n• 寄生电容更低\n• 最小尾电流\n• HEXFRED 超快软恢复联合封装二极管\n• 参数分布更紧凑\n• 可靠性更高\n• 无铅\n\n优势:\n• 适用于更高电流应用中的并联工作\n• 通态损耗和开关损耗更低\n• 开关频率更高,高达 150 kHz;

Infineon

英飞凌

IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • H

文件:427.18 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1_06

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:476.9 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:427.18 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1-EP_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:427.18 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1PBF

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:395.76 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1-E

600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AD package

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Technology :

    IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max:

    30.0kHz 150.0kHz

  • Package :

    TO-247

  • Voltage Class max:

    600.0V

  • IC(@100°) max:

    45.0A

  • IC(@25°) max:

    75.0A

  • ICpuls max:

    150.0A

  • Ptot max:

    390.0W

  • VCE(sat) :

    2.14V 

  • Eon :

    0.255mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    0.375mJ 

  • td(on) :

    30.0ns 

  • tr :

    10.0ns 

  • td(off) :

    130.0ns 

  • tf :

    11.0ns 

  • QGate :

    205.0nC 

  • IF max:

    150.0A

  • VF :

    1.3V 

  • Qrr :

    80.0nC 

  • Irrm :

    4.0A 

  • Ets  (max):

    0.63mJ (0.75mJ)

  • VCE max:

    600.0V

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更多IRGP50B60PD1供应商 更新时间2025-10-6 13:00:00