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IRGP20B120UD-EP	文件：931.4 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：931.4 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP20B120UD-EPBF	文件：931.4 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE 文件：931.4 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP20B120UD-EPBF_15	文件：931.4 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE 文件：931.4 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP20B120UD-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 40A 300W TO247AD	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRGP20B120UD-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.85V @ 15V，40A
开关能量：
850µJ（开），425µJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
600V，20A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 40A 300W TO247AD

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