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IRGI4061DPBF	文件：288.17 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free Package Benefits • Hig 文件：288.17 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGI4061DPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGI4061DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 43W TO220FP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
THS4061EVM	文件：326.67 Kbytes Page：22 Pages	180-MHz HIGH-SPEED AMPLIFIERS 文件：326.67 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
THS4061IDGN	文件：326.67 Kbytes Page：22 Pages	180-MHz HIGH-SPEED AMPLIFIERS 文件：326.67 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
UPC4061C	文件：301.8 Kbytes Page：10 Pages	J-FET INPUT LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：301.8 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC

产品属性

产品编号：
IRGI4061DPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.59V @ 15V，11A
开关能量：
52µJ（开），231µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
37ns/111ns
测试条件：
400V，11A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 20A 43W TO220FP

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