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IRGP20B60PD中文资料600V Warp2 150kHz Copack IGBT,采用 TO-247AC 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRGP20B60PD

参数属性

IRGP20B60PD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 220W TO247AC

功能描述

600V Warp2 150kHz Copack IGBT,采用 TO-247AC 封装
IGBT 600V 40A 220W TO247AC

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:07:00

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IRGP20B60PD规格书详情

特性 Features

• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient
• Lower VCE(SAT)
• Lower Parasitic Capacitances
• Minimal Tail Current
• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode
• Tighter Distribution of Parameters
• Higher Reliability

优势:
• Parallel Operation for Higher Current Applications
• Lower Conduction Losses and Switching Losses
• Higher Switching Frequency up to 150kHz

简介

IRGP20B60PD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP20B60PD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGP20B60PD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :30.0kHz 150.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :22.0A

  • IC(@25°) max

    :40.0A

  • ICpuls max

    :40.0A

  • Ptot max

    :220.0W

  • VCE(sat) 

    :2.5V 

  • Eon 

    :0.095mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.1mJ 

  • td(on) 

    :20.0ns 

  • tr 

    :5.0ns 

  • td(off) 

    :115.0ns 

  • tf 

    :6.0ns 

  • QGate 

    :68.0nC 

  • IF max

    :42.0A

  • VF 

    :1.4V 

  • Qrr 

    :80.0nC 

  • Irrm 

    :3.5A 

  • Ets  (max)

    :0.195mJ (0.285mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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