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IRGBC40	文件：237.32 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40	文件：248.18 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40F	文件：248.18 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40K	文件：237.32 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40M	文件：45.25 Kbytes Page：2 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40M-S	文件：88.62 Kbytes Page：2 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40S	文件：249.57 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40U	文件：244 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40M	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT STD 600V 50A TO-220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC40U	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IRGBC40
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRGBC40供应商更新时间2024-4-27 14:02:00

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