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|---|---|---|---|---|
IRGB5B120KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for M 文件：283.01 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | |
IRGB5B120KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：283.97 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：283.97 Kbytes 页数：13 Pages | IRF | IRF | ||
IRGB5B120KDPBF | Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 12A 89W TO220AB | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
产品属性
- 产品编号：
IRGB5B120KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，6A
- 开关能量：
390µJ（开），330µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/100ns
- 测试条件：
600V，6A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
45000 |
IR代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
1062 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-220 |
1675 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
168 |
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